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雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)

雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)

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簡(jiǎn)介:

場(chǎng)效應(yīng)管主要有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET)。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的襯底(B)與源析(S)連在一起,它的三個(gè)極分別為柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。晶體管分NPN和PNP管,它的三個(gè)極分別為基極(b)、集電極(c)、發(fā)射極(e)。場(chǎng)效應(yīng)管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型效應(yīng)管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別在于它們的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和電流控制原理根本不同,結(jié)型管是利用耗盡區(qū)的寬度變化來改變導(dǎo)電溝道的寬窄以便控制漏極電流,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管則是用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)、電感應(yīng)電荷

[展開]
     

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